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非易失性MRAM磁性隧道結(jié)技術(shù)
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)架構(gòu),其中鐵磁材料的磁性狀態(tài)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)
2020-03-05
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ST-MRAM磁隧道結(jié)寫(xiě)入方式
自旋轉(zhuǎn)移矩依靠電流實(shí)現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn),寫(xiě)入電流密度大概在106~107A cm2之間,而且寫(xiě)入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小,克服了傳統(tǒng)磁場(chǎng)寫(xiě)入方式的缺點(diǎn),因而被廣泛認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)磁隧道結(jié)的純
2020-03-03
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點(diǎn)仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時(shí),和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時(shí),在單元讀寫(xiě)操作時(shí),錯(cuò)誤率較低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢(shì)
MRAM(磁性存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫(xiě)入能力,具有閃存的非易失性,容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SPI FLASH讀寫(xiě)介紹
對(duì)flash芯片的操作,一般包括對(duì)flash芯片的擦除,編程和讀取,各大廠商的SPI flash芯片都大同小異,操作命令基本是沒(méi)什么變化的,當(dāng)我們拿到一款芯片,要特別注意芯片的容量,操作分區(qū)等。
2020-02-24
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如何對(duì)外擴(kuò)SRAM進(jìn)行讀寫(xiě)
如何對(duì)SRAM進(jìn)行讀寫(xiě)使用指針的方法進(jìn)行讀寫(xiě)不需要寫(xiě)讀寫(xiě)函數(shù),可以直接使用指針的方式對(duì)STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問(wèn)。(1)首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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