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磁性隨機存儲器芯片（MRAM）
一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。對于MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
| Density |
Interface |
Part Number |
Voltage |
Speed |
Temp Rating |
Package |
Pack/Ship |
Status |
PDF |
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聯(lián)系我們 |
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