MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于DRAM，且基本上可無限次地重復(fù)寫入。
 
MRAM曾獲得多家產(chǎn)業(yè)巨頭的青睞，摩托羅拉的半導(dǎo)體部門、IBM、英飛凌、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續(xù)投入研發(fā)MRAM的行列。
 
國際上有多個國家和地區(qū)的政府及公司巨資投入開發(fā)MRAM產(chǎn)品，包括IBM、WD、東芝、三星電子、TDK、Seagate、Headway等。其中IBM、Eversipin、三星電子為主要代表企業(yè)，從飛思卡爾獨立出來的Everspin據(jù)稱為全球第一家大批量提供商用MRAM產(chǎn)品的企業(yè)，GlobalFoundries、臺積電和聯(lián)電等晶圓代工廠商亦逐步投入嵌入式MRAM生產(chǎn)。
 
目前MRAM技術(shù)已在向第二代發(fā)展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，ST-MRAM被視為是可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM的高性能存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業(yè)均已涉足。
 
關(guān)于Everspin
Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。Everspin公司在數(shù)據(jù)中心和云存儲以及能源和工業(yè)及運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎(chǔ)。everspin代理宇芯電子提供非易失性MRAM芯片。  

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關(guān)鍵詞：MRAM