Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序,沒有寫入延遲,而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同,這些存儲(chǔ)器的讀/寫操作可以是隨機(jī)的,而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲(chǔ)器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。能夠運(yùn)行于工業(yè)級(jí)(-40°至+85 °C)和AEC-Q100 Grade 1(-40°C至+125 °C)溫度范圍內(nèi),并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
型號(hào) |
容量 |
VDDQ |
電源電壓 |
速度 |
溫度范圍 |
包裝 |
封裝 |
PDF |
MR10Q010SC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010SCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010CSC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010CSCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010MB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010MBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010CMB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
MR10Q010CMBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
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