Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。能夠運行于工業(yè)級（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內(nèi)，并在整個溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。
| 型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /托盤 |
MOQ /卷帶 |
PDF |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
聯(lián)系我們 |
| MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
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備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。
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