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- 偽靜態(tài)隨機(jī)pSRAM
- pseudostatic random access memory 偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小, 同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。 比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。 由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場(chǎng)合， 能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。
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- 磁性非易失MRAM
- 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM） 一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。 它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力， 以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入 Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。 Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
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