賽普拉斯FM25V02A-DG是采用先進(jìn)鐵電工藝的256Kb非易失性存儲器。FRAM是非易失性的，類似于RAM一樣執(zhí)行讀寫操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。封裝引腳采用8引腳雙扁平無引線（DFN）封裝。cypress代理宇芯電子支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
 
引腳排列
   
與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V02A-DG以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列。下一個(gè)總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。FM25V02A-DG能夠支持1014個(gè)讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25V02A-DG非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，例如數(shù)據(jù)記錄（可能是關(guān)鍵的寫入周期數(shù)）到要求嚴(yán)格的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的長時(shí)間寫入會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。。
 
FM25V02A-DG為串行EEPROM或閃存用戶提供了巨大的好處，可作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25V02A-DG使用高速SPI總線，從而增強(qiáng)了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個(gè)只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機(jī)確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。器件規(guī)格在–40℃至+85℃的工業(yè)范圍內(nèi)得到保證。
 
特征
■邏輯組織為32K×8的256-Kbit鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）
•高耐用性100萬億（1014）讀/寫
•151年數(shù)據(jù)保留
•NoDelay™寫道
•先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
■非常快速的串行外圍設(shè)備接口（SPI）
•高達(dá)40MHz的頻率
•直接硬件替換串行閃存和EEPROM
•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■復(fù)雜的寫保護(hù)方案
•使用寫保護(hù)（WP）引腳的硬件保護(hù)
•使用禁止寫入指令的軟件保護(hù)
•適用于1/4、1/2或整個(gè)陣列的軟件塊保護(hù)
■低功耗
•在40MHz時(shí)有2.5mA有功電流
•150-μA待機(jī)電流
•8-μA睡眠模式電流
■低壓操作：VDD=2.0V至3.6V
■工業(yè)溫度：–40℃到+85℃
■引腳封裝
•8引腳雙扁平無引線（DFN）封裝
■符合有害物質(zhì)限制（RoHS）
 
邏輯框圖