Everspin MRAM MR1A16A和賽普拉斯FM28V202A使用類似于標(biāo)準(zhǔn)SRAM的地址，數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。然而Everspin MR1A16A允許以35 ns的速度進(jìn)行更快的讀寫操作。賽普拉斯的FRAM至少需要90ns的讀取周期才能進(jìn)行隨機(jī)讀取訪問。
 
FM28V202A的內(nèi)部操作在60ns的初始讀取訪問之后需要至少30ns的預(yù)充電時(shí)間，從而導(dǎo)致90ns的隨機(jī)訪問最小循環(huán)時(shí)間。無論是由部件自定時(shí)還是由用戶通過將/ CE調(diào)高來啟動(dòng)，都存在預(yù)充電時(shí)間。 FRAM在周期時(shí)間的初始訪問部分執(zhí)行讀取操作，然后在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)將數(shù)據(jù)恢復(fù)到存儲(chǔ)單元（將數(shù)據(jù)寫回），就像DRAM一樣。這稱為破壞性讀出操作。 MRAM可以以這種較慢的FRAM讀取順序進(jìn)行操作，但由于MRAM沒有破壞性的讀取機(jī)制，因此它實(shí)際上要快得多。讀取和寫入周期都會(huì)磨損FRAM。
 
MRAM具有無限的讀寫耐久性。 MR1A16A支持35 ns的讀取訪問和周期時(shí)間.MR1A16A不需要預(yù)充電周期，其初始讀取訪問時(shí)間比FRAM快兩倍，而隨機(jī)訪問則快三倍。FRAM和讀取周期一樣，需要90ns才能完成寫入周期。 MRAM將以此時(shí)序運(yùn)行，但實(shí)際上其寫周期僅為35ns（比FRAM快3倍）。為了利用MR1A16A快三倍的隨機(jī)讀寫速度，您可能希望修改控制接口。MRAM無需更改即可直接插入大多數(shù)SRAM控制器中。
 
功率循環(huán)注意事項(xiàng)
FM28V202A的電源啟動(dòng)時(shí)間為1 ms，而MR1A16A的電源啟動(dòng)時(shí)間為2 ms。在啟動(dòng)時(shí)間上的這種差異在大多數(shù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都不會(huì)成為問題，因?yàn)橛幸庾R(shí)地使上電主機(jī)復(fù)位的時(shí)間更長(zhǎng)，以確保所有電路都穩(wěn)定下來以開始運(yùn)行。
 
電源注意事項(xiàng)
MRAM和FRAM均指定為標(biāo)稱3.3V電源。 FRAM的待機(jī)電流為150 uA。為了使隨機(jī)存取速度提高三倍，MRAM的待機(jī)電流為9 mA。對(duì)于電池供電的應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員可以利用MRAM的非易失性和對(duì)MRAM進(jìn)行功率門控，以在不使用時(shí)將待機(jī)功耗降至零。


關(guān)鍵詞：MRAM FRAM

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