SRAM市場動向
來源:宇芯有限公司 日期:2020-05-25 10:15:35
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,
SRAM要求低電壓供電。因而近年來研究低電壓供電技術(shù)活動十分活躍。在高速SRAM里,既要求高速度又要求低功耗,這是互相矛盾的兩種要求。宇芯電子主要為工業(yè)控制,物聯(lián)網(wǎng),智能控制,消費(fèi)類電子,儀表儀器等市場領(lǐng)域提供各種類型的SRAM存儲產(chǎn)品,包括低功耗SRAM、高速SRAM、同步SRAM等.
SRAM市場動向
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低功耗sram
移動電話和尋呼機(jī)等便攜電子產(chǎn)品市場里,要求機(jī)器小型、輕便和由電池長時(shí)間供電;因此,便攜電子產(chǎn)品也要求SRAM器件實(shí)現(xiàn)低電壓供電例如要求供電電壓低到2.5V乃至1.8V;同時(shí)要求SRAM的等待狀態(tài)電流值和保持存儲的數(shù)據(jù)所必要的電流值都應(yīng)該大幅度縮小,而且封裝結(jié)構(gòu)必須小型化,例如要采用芯片規(guī)模(尺寸)封裝CSP 。特別值得提及的是,面向移動電話的SRAM, 要求兼顧SRAM和快閃存儲器芯片,放在同一封裝結(jié)構(gòu)里如像利用迭層封裝。
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高速sram
在檢測、測量試驗(yàn)機(jī)器、交換機(jī)和基地站等測試和通信市場里,對于高速SRAM器件需求強(qiáng)烈:例如,要求高速SRAM采用5V/3.3V供電,存取速度為10~15ns,存儲容量為1Mb ~4Mb。
●同步SRAM
作為PC機(jī)二級緩沖存儲器雖然用同步SRAM 器件,但是現(xiàn)在的微處理器芯片里通常都內(nèi)置有同步SRAM.因此,作為PC機(jī)一級緩沖存儲器對干SRAM的需求量.今后將愈來愈少。與此相反,上程工作站EWS 和服務(wù)器要求外接的二級緩沖存儲器,卻愈來愈需要大量的高速同步SRAM器件。另外在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域里,現(xiàn)已出現(xiàn)一種具備“零總線交換”ZBTM新功能的同步SRAM產(chǎn)品.
代理
VTI SRAM
型號 |
位寬 |
容量 |
溫度 |
電壓(V) |
速度(ns) |
C/S Option |
封裝 |
VTI508NL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
1C/S |
44TSOP2 |
VTI508NL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
1C/S |
48BGA |
VTI508HB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508HB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508NB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508NB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508NB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508NB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508HB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508HL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
1C/S |
48BGA |
VTI508HL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
1C/S |
44TSOP2 |
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