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低功耗LPSRAM
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低功耗存儲(chǔ)器芯片（LOW POWER SRAM）低功耗靜態(tài)存儲(chǔ)器（LOW POWER SRAM）

低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的一種類別；
特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
屬于易失性存儲(chǔ)芯片，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)產(chǎn)生丟失：
主要應(yīng)用于內(nèi)置電池，并對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機(jī)，手持設(shè)備等：
netsol代理商logoNetsol 是一家位于韓國(guó)的無(wú)廠內(nèi)存半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，產(chǎn)品有異步快速SRAM、低功耗SRAM、同步SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。以下產(chǎn)品為低功耗SRAM芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44/55/75ns，大部分產(chǎn)品在選擇速度時(shí)一般以55ns為主。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品。
型號(hào) 容量 位寬 電壓（V） C/S Option 存取時(shí)間 封裝 PDF
S6L1016C2M 1Mbit 64Kx16 5 2 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 聯(lián)系我們
S6L1008W2M 1Mbit 128Kx8 2.3~3.6 2 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 聯(lián)系我們
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S6L2008W1M 2Mbit 256Kx8 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 聯(lián)系我們
S6L2016W2M 2Mbit 128Kx16 2.3~3.6 2 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48FBGA 聯(lián)系我們
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S6L1008W1M 1Mbit 128Kx8 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 聯(lián)系我們
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S6L4008C2M 4Mbit 512Kx8 5 2 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 聯(lián)系我們
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備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請(qǐng)聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。
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