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記錄數(shù)據(jù)無限期保留是MRAM理想的選擇

來源:宇芯有限公司 日期:2021-02-20 09:57:15

數(shù)據(jù)記錄、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)、邊緣計算設(shè)備中的機(jī)器學(xué)習(xí)/人工智能以及醫(yī)院中的RFID標(biāo)簽都可以用到MRAM。
 
數(shù)據(jù)記錄器需要多兆位的非易失性存儲器來容納長期的數(shù)據(jù)積累。它們通常由電池供電,但也可以依靠收集能量來供電,因此需要低功率內(nèi)存。在斷電的情況下,記錄的數(shù)據(jù)必須無限期地保留。MRAM正是最理想的選擇。
 
MRAM持久性,結(jié)合極低的能耗模式,使物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的代碼和數(shù)據(jù)能夠在極小的形狀因素下從能源收割機(jī)或電池源操作。啟動時間通常是物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的一個重要考慮因素。MRAM利用原地算法(code-in-place)結(jié)構(gòu)可減少所需的啟動時間,由于對DRAM或sram的需求更少,所以減少了總體材料清單成本。
 
MRAM提供的持久性為新一代物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的機(jī)器學(xué)習(xí)提供了可能,在這種節(jié)點(diǎn)中,推理算法不必在設(shè)備喚醒后每次都重新加載。像分析傳感器數(shù)據(jù)、做出決策這種本地處理可以在某些情況下,重新配置節(jié)點(diǎn)。這種局部智能需要持久的低功耗內(nèi)存。這些設(shè)備可以實(shí)時實(shí)現(xiàn)局部粗略推理,并可以利用云進(jìn)行增強(qiáng)分析。
 
MRAM的高速度有利于在企業(yè)資源計劃(ERP)系統(tǒng)、制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)和監(jiān)督控制和數(shù)據(jù)采集(SCADA)系統(tǒng)等邊緣設(shè)備上實(shí)現(xiàn)機(jī)器學(xué)習(xí)。在這些系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)被分析,中間模式被識別并與相鄰領(lǐng)域共享。邊緣架構(gòu)要求的是處理速度和持久內(nèi)存。
 
設(shè)計人員還可以將MRAM應(yīng)用于醫(yī)療保健設(shè)備,其中射頻識別(RFID)是最典型。它的低功耗,再加上它對輻射的免疫力,使它非常適合醫(yī)療環(huán)境。醫(yī)院中使用RFID標(biāo)簽多種多樣,包括庫存管理、病人護(hù)理和安全、醫(yī)療設(shè)備標(biāo)識以及消耗品的標(biāo)識和監(jiān)控。Everspin代理商宇芯電子可提供STT-MRAM,MRAM非易失存儲器芯片,支持提供技術(shù)支持。

關(guān)鍵詞:MRAM   

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