磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時非易失性MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存。
 
MRAM替代SRAM做L2高速緩存
首先比較具有同樣面積的MRAM和SRAM。直接用相同面積的MRAM替換SRAM作L2高速緩存能降低錯誤率。但是寫入延時較長。當(dāng)寫入操作強(qiáng)度高時,錯誤率降低的優(yōu)勢會被長延時所抵消導(dǎo)致性能下降。雖然這種直接替代能大大降低漏功耗,但當(dāng)寫入密集時,動態(tài)功耗顯著增加,使減少能耗的效果變差。若直接用相同面積的MRAM替代sram ,在寫入操作較密集時,其寫入長延時和高能耗等缺點(diǎn)會抵消其優(yōu)勢。
 
MRAM作為L3高速緩存
L2容量過大會增加存取延時所以不適用。在存儲體系中增加一級L3高速緩存的可行性。研究者計(jì)算出一個128MB,4-banks，16-way,256-byte block的高速緩存面積只有161mm2,適合堆疊在目前的處理器上。時間模型表明其延時只有15.82ns,遠(yuǎn)少于存儲器平均存取時間。在不同的情況下的IPC速度增加了0.03%到108%。對L2高速緩存錯誤率較高的情況有很大改進(jìn)。并且這種改進(jìn)只需要增加0.4W的功耗。
 
 MRAM用作主存
有關(guān)研究已證明片上堆疊DRAM存儲器的可行性。與DRAM相比的MRAM不需要周期性刷新。但是目前還是DRAM的集成度最高。目前堆疊DRAM技術(shù)的性能提高為19%(對于整數(shù)）和40%(對于浮點(diǎn)數(shù))。我們有理由相信堆疊MRAM技術(shù)因其具有更短的延時而會有更好的表現(xiàn)。
 
雖然MRAM低功耗的特點(diǎn)使其能夠?qū)崿F(xiàn)多層堆疊而不用擔(dān)心溫度方面的問題,但是延時會增加,而且堆疊層數(shù)過多會導(dǎo)致成品率下降。因此目前的MRAM技術(shù)要應(yīng)用于主存儲器還不夠成熟(因?yàn)槠淙萘坎粔虼? ,但是可以用于對低功耗有特殊要求的嵌入式設(shè)備。
 
 
關(guān)鍵詞：MRAM    宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。