低功耗SRAM主要三部分功耗來源
來源:宇芯有限公司 日期:2020-05-27 10:17:12
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展,由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用,如智能手機、運動手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已進入深亞微米甚至納米階段,工藝尺寸不斷縮小,但是由于電池技術(shù)的緩慢發(fā)展以及芯片散熱技術(shù)的不完善等導(dǎo)致功耗成為SOC 急需要解決的重要問題。而靜態(tài)隨機存儲器
SRAM 是SOC 的重要組成部分,且其占芯片總面積的比例越來越大。而芯片功耗大小直接影響到電池的使用壽命。
低功耗SRAM的功耗來源主要包括三部分:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、短路功耗,功耗與電源電壓有著直接的關(guān)系,動態(tài)功耗與電源電壓成二次方關(guān)系,靜態(tài)功耗和短路功耗與電源電壓成一次方關(guān)系,因此降低電源電壓能夠給SRAM 帶來大幅度的功耗降低。由于傳統(tǒng)的6管存儲單元在電源電壓降低時會出現(xiàn)可靠性變差、寫能力不足、甚至讀寫錯誤的缺陷,新型10 管存儲單元,獨特的電路結(jié)構(gòu)決定了它可以工作在低電源電壓下。為了說明存儲單元的性能優(yōu)越。
代理商
VTI SRAM低功耗
型號 |
位寬 |
容量 |
溫度 |
電壓(V) |
速度(ns) |
C/S Option |
封裝 |
VTI508NL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
1C/S |
44TSOP2 |
VTI508NL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
1C/S |
48BGA |
VTI508HB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508HB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508NB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508NB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508NB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508NB08 |
1M x 8 |
8Mbit |
Industrial |
3.3 |
45/55 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI508HB16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
2C/S |
48BGA |
VTI508HL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
1C/S |
48BGA |
VTI508HL16 |
512K x 16 |
8Mbit |
Industrial |
5.0 |
45/55 |
1C/S |
44TSOP2 |
關(guān)鍵詞:SRAM 低功耗SRAM
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