FeRAM和ReRAM探索存儲(chǔ)技術(shù)
來源: 日期:2024-11-13 16:50:27
FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的兩項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新,旨在提供比傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案(如 SRAM、DRAM 和 Flash)更高的性能和更小的尺寸。隨著便攜式系統(tǒng)市場在過去十多年間的迅速擴(kuò)張,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于大容量非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)的興趣日益濃厚。市場對(duì)更高效率、更快的內(nèi)存訪問速度及更低功耗的需求,不斷推動(dòng)著NVM技術(shù)的進(jìn)步。據(jù)預(yù)測,全球非易失性存儲(chǔ)器市場規(guī)模在2024年達(dá)到約945.2億美元的基礎(chǔ)上,到2029年將擴(kuò)大至1647.9億美元,其間將以11.76%的復(fù)合年增長率持續(xù)增長。
FeRAM依賴鐵電材料的獨(dú)特性質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該類存儲(chǔ)器以其超快的讀寫速度、出色的寫入耐久性以及較低的功耗特性而著稱。FeRAM的讀寫速度是納秒級(jí),這遠(yuǎn)超過NOR flash、EEPROM;讀寫次數(shù)達(dá)到10
14、10
13之多,在某種意義上相當(dāng)于無限次,而EEPROM、NOR Flash一般都有次數(shù)的限制。基于這兩個(gè)特點(diǎn),在實(shí)時(shí)寫入、掉電保護(hù)等、需要讀寫次數(shù)比較高的快速非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場景中(如智能卡、計(jì)量設(shè)備以及汽車中的事件數(shù)據(jù)記錄儀),F(xiàn)eRAM有著不可替代的絕對(duì)優(yōu)勢。同時(shí),F(xiàn)eRAM也可以替換EEPROM、SARM以及MRAM。
相比之下,ReRAM則利用材料電阻狀態(tài)的變化來保存信息,通過電流調(diào)整特定材料(例如氧化鉿)的電阻特性。在功能上,ReRAM類似于EEPROM規(guī)格,但內(nèi)存容量更大、讀出功耗更低、尺寸更小,非常適合于助聽器等小型的電池驅(qū)動(dòng)的可穿戴器件應(yīng)用。
近年來,ReRAM在全球范圍內(nèi)受到了極大的關(guān)注,雖然ReRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在一些芯片制造商的路線圖中,并且已有公司已經(jīng)開始布局ReRAM相關(guān)的產(chǎn)品和服務(wù),但是要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用還需要克服一定的技術(shù)和市場挑戰(zhàn)。
本文關(guān)鍵詞:FeRAM,ReRAM
相關(guān)文章:SRAM是高效且關(guān)鍵的揮發(fā)性內(nèi)存
宇芯有限公司自成立以來,我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS,VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。