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SRAM是高效且關(guān)鍵的揮發(fā)性內(nèi)存

來(lái)源: 日期:2024-10-31 15:44:10

    SRAM(靜態(tài)RAM)是隨機(jī)存取內(nèi)存的一種。「靜態(tài)」的意思是指,只要保持通電,SRAM中的數(shù)據(jù)就能持續(xù)保存。然而,一旦電力供應(yīng)停止,數(shù)據(jù)將會(huì)消失,因此屬于揮發(fā)性內(nèi)存(Volatile Memory)。這點(diǎn)不同于斷電后仍能保存數(shù)據(jù)的只讀內(nèi)存(ROM)或閃存(Flash Memory)。
 
    SRAM的電路結(jié)構(gòu)根據(jù)晶體管數(shù)量可分為多種設(shè)計(jì),如4T、6T、8T或12T等,其中6T是最常見(jiàn)的設(shè)計(jì)。6T SRAM的「T」代表晶體管(Transistor),而「6T」指的是該單元由6個(gè)MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管組成。
 
    6T SRAM的基本電路由2個(gè)PMOS和4個(gè)NMOS晶體管構(gòu)成。根據(jù)功能,不同的晶體管又可劃分為PU(上拉晶體管)、PD(下拉晶體管)、PG(傳送門晶體管)等組件,這種設(shè)計(jì)使得SRAM成為AI芯片中重要的內(nèi)存組件,具有高速、高效的存取特性。


本文關(guān)鍵詞:SRAM

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