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國產(chǎn)SRAM芯片
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國產(chǎn)SRAM芯片

XRAM是一款基于TLC DRAM(三態(tài) DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)
專利技術而成的新型X型隨機存儲器,可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM,
相對比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上,
延時速度10ns,可提供千兆級容量存儲,
可隨時訪問速度不需要刷新機制,在性能上接近于SRAM產(chǎn)品,
并提供SRAM接口便于應用設計。
國產(chǎn)SRAM/XRAMXM7A系列產(chǎn)品采用同步SRAM接口并結(jié)合獨有的XRAM免刷新專利技術,提供LQFP100和BGA165兩種封裝,容量從72Mb到9Mb,工作電壓范圍在2.5~3.3V。在大容量、高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM,同時具有較低功耗和更低的成本,并且與所有同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容,可以滿足各種應用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求,XM7A系列產(chǎn)品也可以當做同步SRAM使用,稱為新型國產(chǎn)SRAM芯片也不為過。
容量 型號 電壓 速度(MHz) Tco 位寬(bit) 封裝 Status PDF
72Mb XM7A04M18V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
72Mb XM7A02M36V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
36Mb XM7A02M18V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
36Mb XM7A01M36V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
18Mb XM7A01M18V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
18Mb XM7A51236V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
9Mb XM7A51218V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
9Mb XM7A25636V33A 3.3/2.5V 133/166 4.5ns X18/36 LQFP100/BGA165 MP 聯(lián)系我們
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