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Mobile SDRAM
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低功耗同步動態(tài)隨機存儲器芯片(Mobile SDRAM)低功耗同步動態(tài)隨機存儲器芯片(Mobile SDRAM)

較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V)
體積更為縮小(FBGA)
更高的記憶體容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
jscJSC是一家擁有全球競爭力的專業(yè)移動專業(yè)公司。自從開發(fā)用于移動電話的低功耗SRAM以來,JSC半導體公司成功開發(fā)了移動RAM(CellularRam)和LP DDR SDRAM等新產(chǎn)品。以下產(chǎn)品為Mobile DDR2 SDRAM,屬于低功耗同步動態(tài)隨機存儲器芯片,產(chǎn)品的容量范圍為1Gb~2Gb,工作電壓為1.2V,最大工作頻率在400MHz,提供134B (10x11.5x1.0)封裝形式。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。
型號 容量 電壓 位寬 Option 最大工作頻率 封裝 PDF
JSL252G168WNBQ-25E 2Gb 1.2V x16 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
JSL252G328WNBQ-25E 2Gb 1.2V x32 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
JSL2A2G168WSBQ-25E 2Gb 1.2V x16 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
JSL2A2G328WSBQ-25E 2Gb 1.2V x32 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
JSL2A1G168WSBQ-25E 1Gb 1.2V x16 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
JSL2A1G328WSBQ-25E 1Gb 1.2V x32 mDDR2 400MHz 134B (10x11.5x1.0) 聯(lián)系我們
備注:如需了解更多關于產(chǎn)品資訊,請聯(lián)系我們 0755-2372 3970,我們竭誠為您服務。
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