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異步快速Async Fast
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異步快速存儲器芯片(Async Fast SRAM)異步快速存儲器芯片(Async Fast SRAM)

一般來說單片機MCU會采用異步靜態(tài)歲級存儲器,
另外有些以并行方式接口的模擬/數字I/O器件,如A/D、D/A、開入/開出等,也會采用異步靜態(tài)隨機存儲器,
靜態(tài)隨機存儲器比DRAM快些,并依賴于CPU的時鐘,
存取速度有12ns、15ns和18ns三種,值越小,表示存取數據的速度越快。
RenesasRenesas 瑞薩電子通過完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計創(chuàng)新,使數十億連接的智能設備能夠增強人們的安全和安全生活方式,,以下產品是為異步快速存儲器芯片簡稱為:Async Fast SRAM,速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V,可以滿足大部分應用的電壓設計,NETSOL品牌的容量大小高達32Mbit,相對Lyontek產品容量較大,如需要容量較大的應用設計,可以采取NETSOL品牌的產品。
型號 容量 位寬(bit) 封裝 存取時間(ns) 電壓(V) 工作溫度 PDF
R1RW0416DSB-2SR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-2PR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-2PI 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-2LR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-0PR 4Mb x 16 TSOPII(44) 10 3.0 to 3.6 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-0PI 4Mb x 16 TSOPII(44) 10 3.0 to 3.6 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DGE-2SR 4Mb x 16 SOJ(44) 12 3.0 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
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R1RW0408DGE-2PR 4Mb x 8 SOJ(36) 12 3.0 to 3.6 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
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R1RP0416DSB-2SR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 4.5 to 5.5 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
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R1RP0416DSB-2PI 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 4.5 to 5.5 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
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備注:如需了解更多關于產品資訊,請聯(lián)系我們 0755-2372 3970,我們竭誠為您服務。
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