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實例說明寫入FRAM的零時鐘周期延遲的影響
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間,以將其頁面數(shù)據(jù)轉移到非易失性EEPROM內。當需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時,會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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高耐久性Cypress FRAM電池管理應用
電池管理系統(tǒng)(BMS)是一個電子控制系統(tǒng),它監(jiān)控并控制著電動和混合動力汽車的電池系統(tǒng)。該單元的主要功能是保護每塊電池免受損壞,延長它們
2020-09-24
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高速性低功耗SRAM應用于物聯(lián)網(wǎng)
在過去的幾十年中,SRAM領域已劃分為兩個不同的產品系列-快速和低功耗,每個產品都有自己的功能,應用程序和價格。使用SRAM的設備需要它的
2020-09-22
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非易失性存儲器MRAM技術介紹
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取
2020-09-18
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基于SRAM的方法可加速AI推理
這個設計使用戶可以為從權重到神經(jīng)網(wǎng)絡層甚至單個神經(jīng)元的所有內容創(chuàng)建自定義參數(shù)。這種靈活性可以使將來設計用于訓練處理器的設計成為可能。
2020-09-16
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非易失性MRAM關鍵特性-MR2A16A
經(jīng)過超過八年的MRAM研發(fā),Everspin MR2A16A是第一款4MbitMRAM商業(yè)設備。該器件采用256K x 16位配置(圖1),并具有異步設計,帶有標準的
2020-09-14
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