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SRAM和DRAM主要差異
SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)由CMOS技術(shù)組成,使用六個(gè)晶體管。它的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)交叉耦合的反相器組成,用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(二進(jìn)制),類似于觸發(fā)器
2022-11-25
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DDR5的七大優(yōu)勢(shì)
DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1 2V降低到1 1V,同時(shí)每通道32 40位(ECC)
2022-11-21
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靈動(dòng)微電子MM32F5270系列MCU優(yōu)勢(shì)
靈動(dòng)微電子MM32F5270系列是靈動(dòng)最新推出的性能型32位MCU產(chǎn)品系列,該系列采用了安謀科技出品的STAR-MC1內(nèi)核,該內(nèi)核基于Armv8-M架構(gòu)實(shí)現(xiàn),C
2022-11-14
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RAM在單片機(jī)里的用途
RAM在單片機(jī)里的用途,主要是存放臨時(shí)數(shù)據(jù)。例如用單片機(jī)測(cè)溫,每秒測(cè)1次,顯示1分鐘的平均值(1分鐘更新一次),先通過傳感器、放大電路、
2022-11-10
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三星236層3D NAND量產(chǎn)
三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其大概為236層的3DNAND存儲(chǔ)器,命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度,當(dāng)與高級(jí)控制器結(jié)合使用時(shí),它們可以
2022-11-07
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臺(tái)積電入局MRAM
早前臺(tái)灣工研院攜手臺(tái)積電共同發(fā)表的SOT-MRAM技術(shù),能在低電壓、電流的情況下,達(dá)到0 4納米的高速寫入,并具備7兆次的耐受度。該項(xiàng)技術(shù)未來
2022-11-01
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