早前臺灣工研院攜手臺積電共同發(fā)表的SOT-MRAM技術(shù)，能在低電壓、電流的情況下，達(dá)到0.4納米的高速寫入，并具備7兆次的耐受度。
 
該項(xiàng)技術(shù)未來可整合成先進(jìn)制程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運(yùn)算芯片等領(lǐng)域具有極佳的前景。MRAM兼具快閃記憶體非揮發(fā)性，近年來已成為半導(dǎo)體先進(jìn)制程、下世代記憶體與運(yùn)算的新星。
 
新磁性記憶體的高效能運(yùn)作技術(shù)。透過優(yōu)化STT-MRAM的膜層和元件，提高寫入速度，降低延遲、電流，并拉長使用壽命。
 
最重要的是，STT-MRAM能在127度到零下269度的范圍內(nèi)，穩(wěn)定且高效運(yùn)作，這也是工作溫度橫跨近400度的STT-MRAM，第一次在實(shí)驗(yàn)中被驗(yàn)證。未來可應(yīng)用于量子電腦、航太等產(chǎn)業(yè)當(dāng)中。
 
過去的傳統(tǒng)架構(gòu)中，CPU會從記憶體內(nèi)，存取已儲存的數(shù)據(jù)，并進(jìn)行運(yùn)算處理。在一來一往的讀寫過程中，數(shù)據(jù)會徘徊在處理器和記憶體之間，造成延遲、高耗能等情況產(chǎn)生，影響到運(yùn)算效率。
 
記憶體內(nèi)運(yùn)算，即將邏輯芯片、記憶體進(jìn)行異質(zhì)整合，提升運(yùn)算效能。事實(shí)上，許多研究機(jī)構(gòu)都在嘗試用不易耗損的新型記憶體開發(fā)此技術(shù)，但當(dāng)中并不包含當(dāng)前被廣泛應(yīng)用的NAND。
 
MRAM為一種非揮發(fā)性記憶體，兼具耗能低、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，以及微縮至22納米以下的潛力，相當(dāng)適合應(yīng)用在嵌入式記憶體的領(lǐng)域。


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