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美光64層3D NAND后將超過72層數(shù)
近兩年,幾大存儲(chǔ)芯片廠商皆在由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND,美光的3D NAND Flash在2016年底量產(chǎn),第二代64層3D NAND于2017年進(jìn)入量產(chǎn),由32層32GB開始做起,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到64層64GB。美光副總裁Jonathan Shaw表示,
2017-11-27
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雙口sram特點(diǎn)介紹
(1)對(duì)同一地址單元訪問的競(jìng)爭控制 如果同時(shí)訪問雙口RAM的同一存儲(chǔ)單元,就會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)訪問失真。為了防止沖突的發(fā)生,采用Busy邏輯控制,也稱硬件地址仲裁邏輯。此處只給出了地址
2017-11-24
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雙口sram簡介
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語:Random Access Memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也稱為主存。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,一般是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行
2017-11-24
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DRAM、NAND量產(chǎn)競(jìng)爭
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保存很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如
2017-11-23
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SSD出貨量大幅度下滑
這一年來SSD價(jià)格雖然持續(xù)高漲,但一直處于生機(jī)勃勃的狀態(tài),技術(shù)創(chuàng)新也不斷出現(xiàn),但是,由于NAND Flash供貨吃緊的狀況還是沒有徹底緩解,
2017-11-23
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 明年恐將供過于求
三星(Samsung)今年資本支出將增長至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為發(fā)展主力,研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,如此一來,3D NANDFlash恐怕會(huì)出現(xiàn)將供過于求的現(xiàn)象。
2017-11-22
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