DRAM、NAND量產(chǎn)競爭
來源:宇芯有限公司 日期:2017-11-23 16:01:01
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保存很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機數(shù)據(jù)就會丟失)。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得特別突出。隨著人們越來越追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
中國半導體發(fā)展風起云涌,購并、建廠消息不斷,在市場、國安等思量下,存儲器更是目前中國重點發(fā)展項目,成為多方人馬競爭的領域。中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?有相關研究機構(gòu)做了圖表簡單解析。
關鍵詞:
DRAM
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