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MR25H256-256Kb串行SPI接口MRAM
MR25H256 MR25H256A是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為32Kx8（ SPI）總線。
2020-02-21
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如何對(duì)外擴(kuò)SRAM進(jìn)行讀寫(xiě)
如何對(duì)SRAM進(jìn)行讀寫(xiě)使用指針的方法進(jìn)行讀寫(xiě)不需要寫(xiě)讀寫(xiě)函數(shù)，可以直接使用指針的方式對(duì)STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問(wèn)。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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汽車電子MCU設(shè)計(jì)方法
針對(duì)汽車電子領(lǐng)域來(lái)講，將對(duì)整車級(jí)、零部件級(jí)的電磁兼容要求強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合到集成電路中的設(shè)計(jì)，才能使電路更易于設(shè)計(jì)出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(c...
2020-02-19
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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MRAM場(chǎng)合應(yīng)用的例子
MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)領(lǐng)域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS
2020-02-17
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外部SRAM應(yīng)用場(chǎng)合
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無(wú)序地址的數(shù)據(jù)，反應(yīng)時(shí)間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短，而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。
2020-01-21
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