內(nèi)存Flash是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SD Card等移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也都是使用內(nèi)存Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。
 
內(nèi)存Flash的主要特性
 
與傳統(tǒng)的硬盤存儲(chǔ)器相比，內(nèi)存Flash具有質(zhì)量輕、能耗低、體積小、抗震能力強(qiáng)等的優(yōu)點(diǎn)，但也有不少局限性，主要如下：
 
需要先擦除再寫(xiě)入
內(nèi)存Flash寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)有一定的限制。它只能將當(dāng)前為1的比特改寫(xiě)為0，而無(wú)法將已經(jīng)為0的比特改寫(xiě)為1，只有在擦除的操作中，才能把整塊的比特改寫(xiě)為1。
 
塊擦除次數(shù)有限
內(nèi)存Flash的每個(gè)數(shù)據(jù)塊都有擦除次數(shù)的限制（十萬(wàn)到百萬(wàn)次不等），擦寫(xiě)超過(guò)一定次數(shù)后，該數(shù)據(jù)塊將無(wú)法可靠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，成為壞塊。
 
為了最大化的延長(zhǎng)內(nèi)存Flash的壽命，在軟件上需要做擦寫(xiě)均衡（WearLeveling），通過(guò)分散寫(xiě)入、動(dòng)態(tài)映射等手段均衡使用各個(gè)數(shù)據(jù)塊。同時(shí)，軟件還需要進(jìn)行壞塊管理（Bad Block Management，BBM），標(biāo)識(shí)壞塊，不讓壞塊參與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。（注：除了擦寫(xiě)導(dǎo)致的壞塊外，內(nèi)存Flash在生產(chǎn)過(guò)程也會(huì)產(chǎn)生壞塊，即固有壞塊。）
 
讀寫(xiě)干擾
由于硬件實(shí)現(xiàn)上的物理特性，內(nèi)存Flash在進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)，有可能會(huì)導(dǎo)致鄰近的其他比特發(fā)生位翻轉(zhuǎn)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)異常。這種異?？梢酝ㄟ^(guò)重新擦除來(lái)恢復(fù)。內(nèi)存Flash應(yīng)用中通常會(huì)使用ECC等算法進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)和數(shù)據(jù)修正。
 
電荷泄漏
存儲(chǔ)在內(nèi)存Flash存儲(chǔ)單元的電荷，如果長(zhǎng)期沒(méi)有使用，會(huì)發(fā)生電荷泄漏，導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。不過(guò)這個(gè)時(shí)間比較長(zhǎng)，一般十年左右。此種異常是非永久性的，重新擦除可以恢復(fù)。

關(guān)鍵詞： 內(nèi)存Flash,Flash

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