ISSI IS61WV6416EEBLL是一種高速異步SRAM芯片，組織為64KX16位。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的設(shè)備。當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時，器件進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，功耗可以通過CMOS輸入電平降低。
 
通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴(kuò)展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB)訪問。IS61WV6416EEBLL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44-pinTSOP-II封裝。ISSI代理宇芯電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
IS61WV6416EEBLL特征
•高速訪問時間：8、10ns
•低有功功率：85mW（典型值）
•低待機(jī)功耗：7mW（典型）CMOS待機(jī)
•單電源
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
•錯誤檢測和錯誤糾正
 
關(guān)于ISSI
ISSI是為下列主要市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)/醫(yī)療。高速、低功耗SRAM和中低密度DRAM是該公司的主打產(chǎn)品。該公司還設(shè)計銷售 NOR 閃存產(chǎn)品、高性能模擬和混合信號集成電路。該公司面向高增長市場提供低成本、高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。長期以來，該公司一直是存儲器產(chǎn)品（包含較低密度和較小批量產(chǎn)品）的可靠供應(yīng)商，即使在產(chǎn)能緊張的時期亦是如此。

關(guān)鍵詞： ISSI代理,SRAM,IS61WV6416EEBLL

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