具有糾錯(cuò)碼(ECC)的8Mb高速低功耗異步SRAM
來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2021-07-13 11:50:13
ISSI基于糾錯(cuò)的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的
SRAM的長(zhǎng)期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯(cuò)碼(ECC)的異步SRAM滿足汽車(chē)、工業(yè)、軍事航空航天和其他應(yīng)用的高質(zhì)量要求。
ISSI代理商宇芯電子可提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
錯(cuò)誤檢測(cè)和錯(cuò)誤糾正
•每個(gè)字節(jié)具有漢明碼的獨(dú)立ECC
•檢測(cè)并糾正每個(gè)字節(jié)的一位錯(cuò)誤
•比只能檢測(cè)錯(cuò)誤但不能糾正錯(cuò)誤的奇偶校驗(yàn)碼方案具有更好的可靠性
•向后兼容:替代當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備(無(wú)ECC)
應(yīng)用
•汽車(chē)
•軍用航天/醫(yī)療
•工業(yè)的
•電信/網(wǎng)絡(luò)
額外的ECC
異步SRAM
•2Mb、4Mb、1Mb
主要特征
|
IS64WV51216EDBLL (A1) |
IS64WV51216EDBLL (A3) |
注釋 |
溫度支持 |
工業(yè)(-40°C 至 +85°C) |
汽車(chē)(-40°C 至 +125°C) |
聯(lián)系ISSI代理商了解軍用溫度 |
技術(shù) |
65nm |
65nm |
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待機(jī)電流 |
15mA |
35mA |
典型值 2mA |
工作電流 |
50mA |
65mA |
典型值 15 mA |
數(shù)據(jù)保留電流 |
15mA |
35mA |
典型值 2mA |
包裝 |
TSOP-II(44 針) BGA(48 針) |
TSOP-II(44 針) BGA(48 針) |
引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 8Mb 異步兼容。 |
關(guān)鍵詞:串行FRAM
上一篇文章:?富士通4Mbit串行FRAM對(duì)EEPROM的兼容性更高
宇芯有限公司自成立以來(lái),我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS,VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片,致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。