Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高電壓即可進行電可擦除和重復編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。

與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash還會出現(xiàn)以下主要故障類型:
 
(1) 柵極編程干擾 (GPD)和柵極擦除干擾(GED)，對一個存儲單元的編程操作引起同一字線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。
 
(2)漏極編程干擾和漏極擦除干擾:對一個存儲單元的編程操作引起同一位線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。
 
(3)讀干擾:對一個存儲單元的讀操作引起對該單元的錯誤編程。
 
(4) 過度擦除(OE):對存儲單元的過度擦除將會導致對該存儲單元的下一次編程不起作用,從而無法得到正確的操作結(jié)果。
 
上面幾種類型的干擾故障一般發(fā)生在Flash 存儲器同一行或者同一列的單元之間,利用內(nèi)存Flash故障的理論模型6，可以選擇應(yīng)用適合Flash存儲器測試的March算法,并且可以對這些算法進行對比與評估7,例如一種Match A算法可表示為:

 
這種March A 測試算法能夠覆蓋SAF (Stuck-At Faults),DPD,DED,RD,OE和幾乎所有的 GPD,GED 故障。其算法復雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存儲器的存儲容量(字數(shù))。
 

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