內(nèi)存技術(shù)在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少，但并沒有實質(zhì)性的改變。因為這些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續(xù)的電力，所存儲的數(shù)據(jù)就會立即消失，這就直接導(dǎo)致目前的PC必需經(jīng)歷一段不短的時間進行啟動才能正式使用，而無法像其他家電一樣即開即用。然而MRAM卻是一種全新的技術(shù)，甚至有望令PC的應(yīng)用方式徹底改變。
 
一、斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，所謂“非易失性”是指關(guān)掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與目前極為流行的閃存芯片類似;而“隨機存取”是指CPU讀取資料時，不一定要從頭開始，隨時可用相同的速率，從內(nèi)存的任何部位讀寫信息。MRAM運作的基本原理與硬盤驅(qū)動器類似，就如同在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方向為依據(jù)，存儲為O或1（圖1）。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響之后，才會改變這個磁性數(shù)據(jù)。因為運用磁性存儲數(shù)據(jù)，所以MRAM在容量成本方面大幅度降低。
 
但是MRAM的磁介質(zhì)與硬盤有著很大的不同。它的磁密度要大得多，也相當薄，因此產(chǎn)生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度明顯快于硬盤的重要原因。當進行讀寫操作時，MRAM中的磁極方向控制單元會使用相反的磁力方向，以使數(shù)據(jù)流水線能同時進行讀寫操作而不延誤時間。但是MRAM的這種設(shè)計方案也不是沒有壞處，當磁密度小到一定程度時會產(chǎn)生一定的信號干擾，對于MRAM的穩(wěn)定性有所影響。不過好在目前90納米制作工藝相當先進，已經(jīng)完全能夠解決這一問題。
 
當感應(yīng)磁場通過MRAM的層面時，又會產(chǎn)生微小的區(qū)別抵抗力，這是因為感應(yīng)磁場建立的順磁場在其相反的存儲狀態(tài)中磁化而形成的，這也是各向異性磁電阻的缺點之一。不過各向異性磁電阻的這一缺點暫時還是無法避免的，畢竟它對MRAM的正面影響要遠大于負面影響。根據(jù)以上技術(shù)特性，MRAM以較低的成本實現(xiàn)了非易失性隨機存儲，注定成為未來內(nèi)存革命的先驅(qū)者。

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