SRAM大多是由CMOS管組成的揮發(fā)性靜態(tài)存儲器。在掉電后存儲器中所存數(shù)據(jù)就會丟失。隨機靜態(tài)存儲器可以對任何地址進行讀寫操作，通過鎖存器的原理對數(shù)據(jù)進行保存，在無操作狀況下，鎖存器處于穩(wěn)態(tài)，保持數(shù)據(jù)穩(wěn)定，不用進行周期性的電荷刷新。SRAM由基本單元構成的陣列以及外圍電路構成，其中陣列的劃分和外圍電路的優(yōu)劣對整個SRAM的性能有很大的影響。
 
SRAM是隨機存儲器的一種，它由靜態(tài)揮發(fā)性存儲單元組成的存儲陣列(或者叫內(nèi)核，core) 組成，其地址譯碼集成在片內(nèi)。SRAM 速度很快而且不用刷新就能保存數(shù)據(jù)不丟失。它以雙穩(wěn)態(tài)電路形式存儲數(shù)據(jù)，結構復雜，內(nèi)部需要使用更多的晶體管構成寄存器.以保存數(shù)據(jù)。SRAM由于靠連續(xù)的供電來維持所存數(shù)據(jù)的完整性，故屬于易揮發(fā)性存儲器。
 
SRAM電路結構與操作和一般的RAM類似，由存儲陣列、靈敏放大器、譯碼器、輸入輸出電路和時序控制電路五大部分組成。存儲單元按行和列排列起來就組成了sram芯片的陣列結構，行和列分別稱為“字線”和“位線”。每個存儲單元對應于一個唯一的地址，或者說行和列的交叉就定義出了地址，而且每一個地址和某一特定的數(shù)據(jù)輸入輸出端口是相連的。一個存儲芯片上的陣列(或者自陣列)數(shù)目是由整個存儲器的大小、數(shù)據(jù)輸入輸出端口數(shù)目、存儲速度要求、整個芯片的版圖布局和測試要求所決定的。
     
如圖1所示存儲陣列是由存儲單元(cell)構成的矩形陣列。每一個單元都有自己獨特的地址，通過外圍的譯碼電路選中相應的單元進行讀寫操作。譯碼電路包括行譯碼電路和列譯碼電路，其中行譯碼電路用來從2* 行中選中一行，列譯碼是從2* 中列中選出一-列。這樣通過行譯碼列譯碼的共同作用來從陣列中選出相應的單元進行讀寫操作。靈敏放大器和寫入電路用來對數(shù)據(jù)進行讀寫操作。
 
在數(shù)據(jù)讀出過程中，由于位線過長使得從單元中讀出的信號很弱，需要用靈敏放大器來放大信號，加快數(shù)據(jù)的讀出過程。寫入電路用來進行數(shù)據(jù)的輸入。控制電路主要用來控制數(shù)據(jù)的讀寫以及譯碼過程。通過相應的控制信號如讀使能信號寫使能信號等來控制數(shù)據(jù)的讀寫操作。
 
 
 
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