與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測(cè)量電阻來感測(cè)而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)有兩個(gè)主要好處。首先磁極化不會(huì)像電荷一樣隨時(shí)間泄漏，因此即使關(guān)閉電源，信息也會(huì)被存儲(chǔ)。其次在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實(shí)際運(yùn)動(dòng)，因此不存在已知的磨損機(jī)制。
 
Everspin MRAM器件旨在結(jié)合非易失性存儲(chǔ)器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統(tǒng)提供“即時(shí)接通”功能和斷電保護(hù)。
 
Everspin MRAM技術(shù)產(chǎn)品組合


Everspin切換MRAM技術(shù)

 
Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)（MTJ）器件用于存儲(chǔ)單元。

 
磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)元件
磁性隧道結(jié)（MTJ）存儲(chǔ)元件由固定磁性層，薄介電隧道勢(shì)壘和自由磁性層組成。當(dāng)對(duì)MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。
 
當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時(shí)，MTJ器件具有低電阻，而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時(shí)，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設(shè)備磁性狀態(tài)的變化是一種被稱為磁阻的效應(yīng)，因此被稱為“磁阻” RAM。
 


關(guān)鍵詞：MRAM   Everspin MRAM