鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。
 
FRAM的結(jié)構(gòu)
FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film）。
 
富士通的FRAM里使用了PZT（鋯鈦酸鉛）的鐵電物質(zhì)，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)如下圖所示。
     
方格中的Zr （鋯）或Ti （鈦）離子有兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)，其性質(zhì)是在外部電場(chǎng)作用下會(huì)改變位置（鐵電性）。定位于任一穩(wěn)定點(diǎn)后，即使撤掉電場(chǎng)，其位置也不會(huì)發(fā)生改變。即記憶了極化狀態(tài)。
 
鐵電膜的上下設(shè)置有電極，構(gòu)成電容器，標(biāo)示出電極電壓及極化量時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)磁滯（過(guò)程），從而能夠記憶“1”或者“0”。
 
鐵電存儲(chǔ)器就是利用了這種非易失性。
 
雖然EEPROM或閃存也會(huì)根據(jù)元件內(nèi)的存儲(chǔ)區(qū)域是否有電荷來(lái)記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來(lái)記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。
 
FRAM的特長(zhǎng)
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。