ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因?yàn)樗且环N高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉(zhuǎn)。

目前有研究人員開發(fā)了一種新的超低功耗ST-MRAM架構(gòu)，稱為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時實(shí)現(xiàn)了超高M(jìn)R比，高速開關(guān)和低RA。
 

SL STT MRAM結(jié)構(gòu)
 

SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格勢壘代替了傳統(tǒng)STT-MTJ中的單晶（MgO）勢壘。超晶格屏障由交替的金屬層和絕緣層組成，其中在絕緣層中僅使用非晶而不是單晶。與傳統(tǒng)的基于MgO的ST-MRAM相比，SL-ST-MRAM具有更高的重復(fù)寫入可靠性。
 

研究人員進(jìn)一步說，SL-ST-MRAM的生產(chǎn)與傳統(tǒng)的ST-MRAM工藝兼容，并且根據(jù)他們的發(fā)現(xiàn)，SL-ST-MTJ可以降低90％以上的開關(guān)功率和RA值，而MR比和開關(guān)速度可以增加十倍以上.研究人員現(xiàn)在正與業(yè)界接觸，尋找可以進(jìn)一步開發(fā)SL-ST-MRAM技術(shù)并使其商業(yè)化的合作伙伴。在生產(chǎn)MRAM領(lǐng)域上,Everspin在行業(yè)中具有領(lǐng)先地位,在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn).everspin代理宇芯有限公司可提供完善的MRAM芯片產(chǎn)品服務(wù).


關(guān)鍵詞：ST-MRAM