MRAM技術(shù)自20世紀(jì)90年代以來(lái)一直在發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。三星研發(fā)中心的首席工程師認(rèn)為現(xiàn)在是展示可制造和商業(yè)化的時(shí)候了。
 
除了被視為獨(dú)立設(shè)備的有希望的候選者，以取代內(nèi)存芯片堅(jiān)定的DRAM和NAND閃存 - 隨著行業(yè)轉(zhuǎn)向更小的節(jié)點(diǎn)面臨嚴(yán)重的擴(kuò)展挑戰(zhàn) - MRAM，一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器，吸引人的作為一個(gè)嵌入式技術(shù)替代閃存和嵌入式SRAM，因?yàn)樗哂锌焖俚淖x/寫(xiě)時(shí)間，高耐用性和強(qiáng)大的保留能力。嵌入式MRAM被認(rèn)為特別適用于諸如物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備之類(lèi)的應(yīng)用。
 
自去年以來(lái)，Globalfoundries一直在其22FDX 22-nm FD-SOI工藝上提供嵌入式MRAM。
 
但隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。重要是憑借新的工藝技術(shù)，sram單元的尺寸不會(huì)隨著剩余的工藝而縮小，因此MRAM變得越來(lái)越有吸引力。
 
其嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實(shí)現(xiàn)10年的保留，并可在超過(guò)10 6個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)10年的保持。該技術(shù)使用216×225 mm 1T-1R存儲(chǔ)單元。8Mb MRAM的耐久性為10 6個(gè)周期，保留期為10年。
 
Song表示，三星技術(shù)最初將用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并補(bǔ)充說(shuō)在將其用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用之前必須提高可靠性。已成功將該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到工廠(chǎng)，并將在不久的將來(lái)將其推向市場(chǎng)。
 

關(guān)鍵詞：MRAM