案例&資訊

復旦大學研發(fā)出第三種存儲技術

來源：宇芯有限公司日期：2018-06-27 16:29:21

一鍵分享

目前世界上現(xiàn)有的存儲技術有兩種，一種是以內存為代表的易失性存儲，速度很快，但斷電后數據就丟失了，無法保存；另一種是以U盤為代表的非易失性存儲，斷電后依然能夠保存數據，但缺點就是讀寫速度慢。近期復旦大學微電子學院的團隊則研發(fā)出了第三種存儲技術，不但能保證超高的讀寫速度，又能保證斷電后數據不會丟失。

據團隊人員介紹，基于這項技術制作的存儲元器件，其寫入速度將會比普通U盤快上10000倍。

而且這項技術的特別之處在于能夠按需對數據的存儲時長進行調整。它的原理是，這種技術采用了多重二維半導體材料，只要通過對材料比例的控制，便可以控制寫入速度與斷電數據保留時長的比例。

目前這項技術還僅僅存在于實驗室中，不過這項技術誕生于中國復旦大學，看來中國研發(fā)已經往世界水平看齊了。

關鍵詞：存儲芯片

上一篇：明年將緩解8英寸晶圓缺貨狀況

宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。

<source id="sqsqs"></source>

<ul id="sqsqs"></ul>

午夜亚洲精品一区二区三区-日韩中文字幕亚洲中出内射-日本高清成人一区二区-日本午夜精品一区二区三区

復旦大學研發(fā)出第三種存儲技術