隨機存取存儲器的結構

來源：宇芯有限公司 日期：2018-05-30 11:33:23

一鍵分享

隨機存取存儲器由存儲矩陣、地址譯碼器、讀/寫控制電路、輸入/輸出電路和片選控制電路等組成，其結構示意圖如下：

 

 

　　1、存儲矩陣：由存儲單元構成，一個存儲單元存儲一位二進制數(shù)碼“1”或“0”。與ROM不同的是RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構成。

 

　　2、地址譯碼器：也是N取一譯碼器。

 

　　3、讀/寫控制電路：當R/W=1時，執(zhí)行讀操作，R/W=0時，執(zhí)行寫操作。

 

　　4、片選控制：當CS=0時，選中該片RAM工作， CS=1時該片RAM不工作。

 

　　
隨機存取存儲器的特點

　

　   1、易失性

 

　　當電源關閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

 

　　2、對靜電敏感

 

　　正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

 

　　3、訪問速度

 

　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。

 

　　4、需要刷新（再生）

 

　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。


關鍵詞：隨機存取存儲器

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