3D NAND提供了數(shù)倍容量。每個NAND閃存“摩天大樓”可以實現(xiàn)容量翻倍。三星表示，它的V-NAND最初只擁有128GB到1TB的嵌入式系統(tǒng)和SSD，“取決于客戶的需求。”所以，三星似乎決定性的降低每比特價格 用來占領(lǐng)市場，而不是提高容量來推動V-NAND銷量。

 

Crossbar的初始RRAM芯片能夠存儲1TB的數(shù)據(jù)，它能在尺寸小于郵票的芯片上進行存儲，這相當于200mm見方表面上存儲了250小時的高清電影。

 

在性能方面，RRAM還有另一個優(yōu)勢?，F(xiàn)在的NAND閃存芯片大約有7MB/秒的寫速度。SSD和閃存卡通過并發(fā)運行多個芯片可以達到400MB/秒的速度。

 

3D NAND和RRAM宣稱的高性能代表著存儲設(shè)備不再是現(xiàn)在的系統(tǒng)瓶頸。在未來，瓶頸因素將是總線——計算機組件之間的通信層。簡而言之，如果NAND閃存是一個每小時100英里的汽車，RRAM是每小時200英里的汽車，不管他們的速度有多快，如果道路中有一個彎道，那么速度會限制到每小時50英里。

 

Crossbar表示，除了性能，RRAM還使用少部分功率存儲NAND閃存使用的數(shù)據(jù)，這意味著它有助于延長電池壽命“幾周，幾個月或是幾年”。

 

例如，NAND閃存需要20伏電壓將一些數(shù)據(jù)寫入硅芯片中，而RRAM寫入這些數(shù)據(jù)只需要4微安。

 

推動RRAM發(fā)展的不僅有Crossbar?；萜蘸退上露家呀?jīng)開發(fā)他們自己版本的電阻存儲器，但據(jù)ObjectiveAnalysis 的首席分析師Jim Handy說，Crossbar對其他開發(fā)者有巨大的幫助。這種技術(shù)的一大優(yōu)勢是選擇裝置內(nèi)置在單元中。在其他RRAM中不是這樣，必須內(nèi)置一些外部的二極管或晶體管。這個領(lǐng)域已經(jīng)獲得了大量的研究經(jīng)費，但對于許多其他技術(shù)仍是一個棘手的問題。

 

Handy說，即使其他技術(shù)提供了更好的性能，RRAM替代性技術(shù)的市場仍是有限的，因為閃存制造商傾向于使用最便宜的技術(shù)。

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