中國設計出新型態(tài)光敏感性半導體存儲器
來源： 日期：2018-02-02 14:25:20
近日有研究團隊基于原子級薄度的半導體研究設計出一種存儲器，除了具有良好的性能，也能夠在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲存資料，團隊認為這種新的存儲器在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上，具有非常大的應用潛力。
據(jù)報導，復旦大學和中國科學院微電子研究所的Long-Fei He及相關研究人員最近發(fā)表了一篇關于新型態(tài)存儲器的論文。
因為大多數(shù)現(xiàn)有的存儲器技術都不夠輕巧，不能整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。
在這項新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應用，創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導體，它的電導率（conductivity）可以被精細的調(diào)整，進而形成具有高開關電流比的存儲器基礎元件。
此外，團隊也在測試中證明，這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實際應用來說仍然足夠。
曾經(jīng)已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運用光來控制，為了了解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果他們發(fā)現(xiàn)，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
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