它的工藝流程也與傳統(tǒng)內(nèi)存的不一樣。正常情況下，MRAM 工藝是從傳統(tǒng)晶圓廠開始的，代工供應(yīng)商會(huì)在這里生產(chǎn)帶有電路的標(biāo)準(zhǔn) CMOS 晶圓，這就是所謂的生產(chǎn)線前道工序（FEOL）。其中的電路可以集成一種晶體管方案或一個(gè)微控制器（MCU）這樣的器件。

 

然后，該器件和/或一個(gè)基板會(huì)被送到被稱為生產(chǎn)線后道工序（BEOL）的另一處晶圓廠設(shè)施。在這里，金屬層和微細(xì)的銅導(dǎo)線會(huì)被加工裝配到該器件上。

 

STT-MRAM 是在晶圓廠的 BEOL 工序中生產(chǎn)制造的。實(shí)際上，STT-MRAM 內(nèi)存層構(gòu)建于芯片中一個(gè)金屬層的觸點(diǎn)或通孔之上，比如 M4 或其它金屬層。

嵌入式 MRAM

 

DRAM 和閃存則相反，是在內(nèi)存晶圓廠的 FEOL 工序中加工的。在 FEOL 工序中，傳統(tǒng)內(nèi)存加工時(shí)的溫度更高。

 

但是 MRAM因?yàn)榇判员∧ず鼙?，無(wú)法承受更高的溫度，所以 MRAM 在 BEOL 工序制造，這時(shí)候的溫度要低得多。Applied 的 Ping 說(shuō)：“磁性薄膜非常薄，你不能給它提供非常高的溫度。”

 

生產(chǎn)制造 STT-MRAM 是一個(gè)精細(xì)的過程。如果步驟不嚴(yán)格遵守，就會(huì)出問題。短缺的情況常常發(fā)生，就會(huì)影響產(chǎn)量。解決缺陷問題也很具挑戰(zhàn)性。

 

首先，STT-MRAM 在以下部分需要三個(gè)掩模步驟：底部電極、頂部電極和 MTJ 單元。第一步是沉積一層薄層材料，這會(huì)成為底部電極。然后就會(huì)遇到第一個(gè)難點(diǎn)——形成薄膜的堆疊。這種薄膜堆疊可能有 20 到 30 層。方法就是高精度地一層一層地沉積這些薄膜。

 

Ping 說(shuō)：“這是一種非常薄的膜，厚度只有幾埃。你要將它們堆疊起來(lái)以實(shí)現(xiàn)磁化作用的最大化。”

 

在某些情況下，STT-MRAM 是在一個(gè)使用各種工藝模組的封閉的集群工具中制造的。這些模組包含用于物理氣相沉積（PVD）、退火和離子束蝕刻的專門腔室。

 

如果這種薄膜堆疊暴露在空氣中，就會(huì)出現(xiàn)問題。“你需要在同一臺(tái)機(jī)器中蝕刻和封裝它。”Lam Research 副總裁 Thorsten Lill 說(shuō)，“你不能將晶圓暴露在空氣中。”

 

STT-MRAM 包含一個(gè) MTJ 內(nèi)存單元。MTJ 使用了基于氧化鎂（MgO）的薄介電隧道勢(shì)壘薄膜，它被夾在兩層基于硼鐵化鈷（CoFeB）化合物的鐵磁層之間。在工作時(shí)，電流會(huì)流過僅有大約 10 埃厚度的 MgO 薄膜。據(jù) Applied Materials 的數(shù)據(jù)，CoFeB 層的厚度為 10 到 30 埃。

 

pMTJ 薄膜堆疊細(xì)節(jié)。(b) 和 (c) 展示了 pMTJ 陣列的橫截面和頂視圖，來(lái)自Applied Materials

 

在晶圓廠中，這種堆疊可以進(jìn)行調(diào)節(jié)。Lam 的 Lill 說(shuō)：“關(guān)于 MRAM 的有趣之處在于根據(jù)你構(gòu)建這種堆疊的方法的差異，你可以得到更低或更高溫度的器件。你可以讓它像閃存或 SRAM。所有這些都可以通過調(diào)整這種堆疊辦到。”

 

然后，對(duì)該薄膜堆疊執(zhí)行退火，之后又是另一大難題——蝕刻。要得到預(yù)期大小和尺寸的 MTJ 堆疊，要在表面沉積一種抗蝕劑，然后再蝕刻。

 

STT-MRAM 沒有使用的傳統(tǒng)的反應(yīng)離子束蝕刻（RIE）工具，因?yàn)檫@會(huì)破壞堆疊。行業(yè)實(shí)際使用了離子束蝕刻（IBE），即使用帶電離子束蝕刻這些薄膜。

 

使用 IBE 時(shí)，離子束會(huì)撞擊薄膜表面。“這是濺射方法。”Lill 說(shuō)，“這被稱為化學(xué)增強(qiáng)離子束蝕刻（chemically-enhanced ion beam etching）。第一代是純惰性氣體氬氙濺射。”

 

但 IBE 也面臨著一些挑戰(zhàn)。Applied 的 Ping 說(shuō)：“離子束蝕刻器對(duì)間距有限制。當(dāng)你的間距更小時(shí)，會(huì)出現(xiàn)陰影效應(yīng)。這項(xiàng)技術(shù)還仍在開發(fā)之中。”

 

然后，在完成 IBE 之后，該器件就會(huì)被封裝起來(lái)。在每一步，這個(gè)器件都要經(jīng)歷多種計(jì)量步驟。KLA-Tencor 客戶參與高級(jí)總監(jiān) Neeraj Khanna 表示：“我們預(yù)計(jì)這些新架構(gòu)將會(huì)推動(dòng)發(fā)展對(duì)計(jì)量和檢測(cè)的新要求。”


關(guān)鍵詞：STT-MRAM

上一篇：STT-MRAM 的特性與難題

---

宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。