為了要延長DRAM內(nèi)存的使用壽命在近期內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。那么什么是3D超級DRAM (Super-DRAM)呢？為什么需要這種技術(shù)？

平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方所以裸晶尺寸會變得比較小每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多這說明3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。

 

3D Super-DRAM重復(fù)使用了運(yùn)用于平面DRAM的經(jīng)證實(shí)生產(chǎn)流程與組件架構(gòu)，當(dāng)我們比較平面與3D兩種DRAM儲存電容以及內(nèi)存邏輯電路應(yīng)該會是一樣的，它們之間的唯一差別是單元晶體管。平面DRAM正常情況下會采用凹型晶體管(recessed transistor)3D Super-DRAM則是利用垂直的環(huán)繞閘極晶體管(Surrounding Gate TransistorSGT)

 

 

平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)是儲存電容的高深寬比。如下圖所示儲存電容的深寬比會隨著組件制程微縮而呈倍數(shù)增加，換句話說平面DRAM的制程微縮會越來越困難。根據(jù)我們的了解DRAM制程微縮速度已經(jīng)趨緩制造成本也飆升主要就是因?yàn)閮Υ骐娙莸奈⒖s問題，這個(gè)問題該如何解決?

 

 

平面DRAM的儲存電容恐怕無法變化或是修改，但是如果使用內(nèi)存單元3D堆棧技術(shù)除了片晶圓的裸晶產(chǎn)出量可望增加四倍也能因?yàn)榭芍貜?fù)使用儲存電容而節(jié)省高達(dá)數(shù)十億美元的新型儲存電容研發(fā)成本與風(fēng)險(xiǎn)并加快產(chǎn)品上市時(shí)程。

垂直SGT與凹型晶體管有什么不同?兩者都有利于源極(source)與汲極(drain)間距離的微縮因此將泄漏電流最小化，但垂直SGT能從各種方向控制閘極因此與凹型晶體管相較在次臨限漏電流(subthreshold)特性的表現(xiàn)上更好。

 

 

眾所周知絕緣上覆硅(SOI)架構(gòu)在高溫下的接面漏電流只有十分之一，而垂直SGT的一個(gè)缺點(diǎn)是沒有逆向偏壓(back-bias)特性可以利用。整體看來垂直SGT與凹型晶體管都能有效將漏電流最小化。

接著是位線寄生效應(yīng)(parasiTIcs)的比較。平面DRAM的埋入式位線能減少儲存電容與位線之間的寄生電容，垂直SGT在最小化寄生電容方面也非常有效因?yàn)槲痪€是在垂直SGT的底部。而因?yàn)榇怪盨GT與埋入式晶體管的位線都是采用金屬線位線的串聯(lián)電阻能被最小化，總而言之垂直SGT與凹型晶體管的性能與特征是幾乎相同的。

 

 

不過垂直SGT與凹型晶體管比起來簡單得多前者只需要兩層光罩節(jié)省了3~4層光罩步驟，舉例來說不用源極與汲極光照也不需要凹型閘極光罩、字符線(word line)光罩以及埋入式位線光罩。如果你有3D Super-DRAM制造成本高昂的印象這是不正確的，3D Super-DRAM的制程與結(jié)構(gòu)還有組件的功能性與可靠度都已成功驗(yàn)證。

 

 

下圖是3D Super-DRAM與平面DRAM相較的各種優(yōu)點(diǎn)摘要：

 

 

 

 

關(guān)鍵詞：DRAM

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