非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制，開發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，并如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)Crossbar副總裁所說(shuō)，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的Crossbar ReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)terabyte(TB)級(jí)的儲(chǔ)存，并具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單與易于制造等優(yōu)點(diǎn)。


                            
                                            Crossbar ReRAM技術(shù)易于配置，以實(shí)現(xiàn)低成本制造。

該ReRAM組件目前正由其合作伙伴中芯國(guó)際(SMIC)進(jìn)行生產(chǎn)，SMIC最近已宣布為客戶出樣40nm CMOS制程的ReRAM芯片。除了量產(chǎn)40nm ReRAM，預(yù)計(jì)不久也將實(shí)現(xiàn)28nm CMOS的生產(chǎn)。Dubois預(yù)期這一時(shí)間大約就在2017年的上半年，但他并未透露是否仍沿用SMIC還是其他代工廠為其生產(chǎn)28nm CMOS。

Crossbar是目前競(jìng)相投入開發(fā)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)技術(shù)的多家公司之一；NVM技術(shù)可望用于取代閃存，并可微縮至28nm以及更先進(jìn)制程。尤其是在相變內(nèi)存無(wú)法成功用于商用市場(chǎng)后，ReRAM已被業(yè)界視為一種更可能取得成功的備選技術(shù)。不過(guò)，ReRAM技術(shù)也有多種版本，在許多情況下，可能無(wú)法完全深入了解在其切換和失效模式背后的原理。有些人甚至指出磁性內(nèi)存(MRAM)可能會(huì)是在28nm節(jié)點(diǎn)勝出的非揮發(fā)性內(nèi)存。

 

ReRAM已經(jīng)明顯表現(xiàn)出優(yōu)于閃存的優(yōu)點(diǎn)了，包括20奈秒(ns)的讀取延遲以及12ns的寫入延遲，相形之下，閃存還存在幾毫秒的延遲。Dubois解釋，“我們的技術(shù)并不存在區(qū)段擦除(block erase)，因而能夠重新寫入單個(gè)字節(jié)。”至于其耐久性，Dubois強(qiáng)調(diào)，Crossbar可確保達(dá)到100k次的讀寫周期。他說(shuō)：“對(duì)于這些應(yīng)用，100k是一般鎖定的目標(biāo)，但我們持續(xù)使其推向更高的穩(wěn)定度。”

 

                               
  Crossbar ReRAM內(nèi)建選擇特性，能使內(nèi)存單元在1T1R數(shù)組中實(shí)現(xiàn)超低延遲的讀取，或在1TnR數(shù)組中實(shí)現(xiàn)最佳面積效率(4F2單元)



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