事實(shí)上，Hewlett-Packard Enterprise (HPE)已經(jīng)發(fā)布了一款采用Gen-Z存儲(chǔ)器介面的原型系統(tǒng)。Gen-Z是在今年8月才推出的全新存儲(chǔ)器架構(gòu)。

　　
WebFeet首席分析師Gil Russell表示：“許多人并不看好DDR5能成為下一代的存儲(chǔ)器介面。”

　　
DRAM的制程技術(shù)微縮正趨近于其核心電容器的實(shí)體限制，這使得Russell等業(yè)界分析師預(yù)期這種存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)將在未來的5至10年內(nèi)終結(jié)。他強(qiáng)調(diào)，更高的錯(cuò)誤率必須在芯片上建置糾錯(cuò)程式碼的電路。

　　
然而，存儲(chǔ)器領(lǐng)域“是一個(gè)真正進(jìn)展緩慢的領(lǐng)域。”Russell說：“要讓DIMM獲得市場的認(rèn)可，大概就得花一年的時(shí)間，而且大家總想要以盡可能最低的成本導(dǎo)入。”

　　
同時(shí)，為了進(jìn)一步提高速度與密度，AMD和Nvidia的高階繪圖處理器(GPU)已經(jīng)改用高頻寬的存儲(chǔ)器芯片堆疊了。Rambus的Dhulla指出，芯片堆疊仍然是一種昂貴的途徑，僅限于用在高階的GPU、FPGA以及通訊ASIC。

　　
Dhulla表示，“DDR5顯然是開啟大量機(jī)會(huì)的理想途徑。但目前業(yè)界較大的爭論焦點(diǎn)是在DDR5之后以及2023年以后將如何發(fā)展。因此，我們的實(shí)驗(yàn)室也正著眼于多種替代方案。

關(guān)鍵詞：DDR5  DRAM

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