串行MRAM以40MHz的時(shí)鐘速度高速運(yùn)行，沒有寫延遲。和傳統(tǒng)的EEPROM技術(shù)不同，MRAM允許無(wú)限次擦除。容量為256Kb到1Mb，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年以上。低電壓保護(hù)電路可在掉電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù)，防止在規(guī)定電壓范圍以外時(shí)寫入數(shù)據(jù)。對(duì)于必須永久保存、快速恢復(fù)重要數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，SPI串行總線接口的MARM存儲(chǔ)器是理想的存儲(chǔ)器方案。

特性
 

• 無(wú)寫延時(shí)

• 無(wú)限次可寫

• 數(shù)據(jù)保存時(shí)間大于20年

• 掉電數(shù)據(jù)自動(dòng)保護(hù)

• SPI總線操作速率高達(dá)40 MHz

• 電源電壓范圍：2.7V~3.6V

• 待機(jī)電流低至3μA

• 具備工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)的可選溫度范圍

• 小尺寸8引腳DFN封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

• 可直接替代EEPROM、Flash、FRAM


關(guān)鍵詞：MRAM

---

宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。