數(shù)字網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演進(jìn)導(dǎo)致各種信息和電子設(shè)備的能力不斷增強(qiáng)，隨著信息和電子設(shè)備使用的增加，這些設(shè)備消耗的電量也趨于增加。
 
FeRAM產(chǎn)品正在取代配備電池的SRAM，以消除電池的使用，而ReRAM產(chǎn)品通過利用讀取操作期間的低電流消耗，為助聽器延長電池壽命做出了貢獻(xiàn)。
 
鍵盤、遙控器、傳感器、電子紙和顯示器中使用和處置了許多電池，用無電池解決方案取代這些不僅可以節(jié)省電力，還有助于減少因處置電池和其他材料而造成的環(huán)境破壞。
 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM 已被對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。


本文關(guān)鍵詞：單片機(jī),MCU

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