偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1存儲器SRAM替換IS62WVS0648FBLL
來源: 日期:2022-10-31 13:52:30
ISSI是一家專注于生產(chǎn)存儲芯片技術(shù)的翹楚,主要產(chǎn)品包括高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。為汽車,通信,數(shù)字消費,以及工業(yè)和醫(yī)療市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路。
ISSI IS62WVS0648FBLL采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造,是一款容量為512Kbit的
SRAM,位寬8*64K字節(jié)。20MHz時鐘頻率,工業(yè)溫度范圍-40℃至+85℃,汽車溫度范圍:-40℃至+125℃,通過簡單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線進行訪問。如果需要更快的數(shù)據(jù)速率,還支持SDI和SQI。還支持對存儲器陣列的無限制讀寫。
國產(chǎn)SRAM廠家偉凌創(chuàng)芯
SCLPSRAC1可用于替換IS62WVS0648FBLL-20NLI,SCLPSRAC1是一款SPI SRAM,存儲器大小為512Kbit。它在內(nèi)部組織為64K字,每個字8位。該器件采用CMOS技術(shù)設(shè)計和制造,以提供高速性能和低功耗。
偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1工作溫度范圍:-40℃~+85℃,電源電壓范圍2.7V~3.6V,工作電流最大2mA@1MHz,待機電流最大15µA@25℃,具備SPI兼容接口,最大時鐘頻率20兆赫茲。
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