美國ISSI公司主要是為以下主要市場設(shè)計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者：汽車，工業(yè)和醫(yī)療，通信/企業(yè)，以及數(shù)字消費。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM、NOR/NAND Flash和eMMC產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容以幫助處理大量數(shù)據(jù)
 
IS61WV12816EFBLL是高速、低功耗、2M位靜態(tài)RAM，組織為128K字x16位。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性?；诩m錯碼 (ECC) 的異步SRAM 滿足汽車、工業(yè)、軍用航空航天和其他應(yīng)用中的高質(zhì)量要求。
 
ISSI這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：單糾錯-雙錯誤檢測）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性能和高可靠性的器件。當(dāng)CS#為高電平（取消選擇）時，器件進入待機模式，此時可通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展內(nèi)存。低電平有效寫使能(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)(UB#)和低字節(jié)(LB#)。IS61WV12816EFBLL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)48BGA(6mmx8mm)封裝。