NAND內(nèi)存進(jìn)入200層以上競(jìng)爭(zhēng)
來(lái)源: 日期:2022-02-28 14:57:35
當(dāng)前的
NAND內(nèi)存進(jìn)入200層以上競(jìng)爭(zhēng),NAND內(nèi)存廠商計(jì)劃在2022年底到2023年期間推出200層以上的芯片產(chǎn)品,這是行業(yè)向更高密度的3D NAND內(nèi)存過(guò)渡的里程碑。
三星計(jì)劃在中國(guó)西安工廠擴(kuò)大128層3D NAND芯片的產(chǎn)量。目前該工廠正在建設(shè)第二期工廠,每月可生產(chǎn)13萬(wàn)至14萬(wàn)片晶圓,第一期工廠的月均生產(chǎn)量為12萬(wàn)個(gè)。該消息人士認(rèn)為,三星西安工廠將是決定其定價(jià)策略的關(guān)鍵,因?yàn)樵摴S產(chǎn)量的大幅增加將有助于大幅降低供應(yīng)商的整體生產(chǎn)成本。三星在晶圓廠的產(chǎn)量增加一倍以上的能力,也將為其未來(lái)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位奠定基礎(chǔ)。
三星電子和美光科技可能是首批開(kāi)始批量生產(chǎn)200層以上3D NAND內(nèi)存芯片的廠商。三星在韓國(guó)平澤的新工廠于2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn),并將在今年提高176層3D NAND芯片的產(chǎn)量,過(guò)渡到176層3D NAND內(nèi)存制造,預(yù)計(jì)將使三星新工廠的總產(chǎn)量在2022年提高到每月5萬(wàn)個(gè)晶圓。
與此同時(shí),鎧俠可能成為日本政府68億美元半導(dǎo)體投資計(jì)劃的受益者之一。政府的補(bǔ)貼可能會(huì)幫助鎧俠在巖手縣的北上進(jìn)行擴(kuò)建項(xiàng)目,在那里將建立一個(gè)新的K2工廠。鎧俠在該地有一家3D NAND內(nèi)存工廠K1。
鎧俠尚未披露其向200層以上3DNAND工藝生產(chǎn)過(guò)渡的計(jì)劃,但已宣布其與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的162層3D NAND。市場(chǎng)觀察人士預(yù)計(jì),鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流制造工藝。
英特爾在其3D NAND內(nèi)存制造中采用了雙棧的方法,該公司到2023年將推進(jìn)到196層。
而美光早在2022年1月就宣布已開(kāi)始批量出貨其宣稱(chēng)業(yè)界首款176層QLC NAND SSD硬盤(pán)。它將努力在整個(gè)行業(yè)的利潤(rùn)池中獲得更大的份額,而非增長(zhǎng)其在行業(yè)產(chǎn)量中的份額。
中國(guó)方面,盡管進(jìn)入NAND內(nèi)存市場(chǎng)較晚,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)在提高128層3D NAND內(nèi)存的生產(chǎn)收益率方面取得了進(jìn)展。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已將64層3D NAND內(nèi)存制造的收益率提高到成熟水平。長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在2022年上半年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)量增至10萬(wàn)片的目標(biāo)。這家芯片制造商正努力進(jìn)入中國(guó)一線品牌供應(yīng)鏈,并將其目標(biāo)市場(chǎng)擴(kuò)大到包括手機(jī)和個(gè)人電腦應(yīng)用。
預(yù)測(cè)2020-2025年全球NAND內(nèi)存市場(chǎng)將以30%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng),而數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)在未來(lái)五年內(nèi)將以39%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞: NAND內(nèi)存
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