在新的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)時代，另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)和其他集成電路中的SRAM陣列。
 
僅僅基于成本，它或任何新的NVM都很難與NAND閃存或DRAM競爭。
 
盡管DRAM和NAND已經(jīng)高度優(yōu)化，可能無法以相同的新存儲器速度取得新的進展，但它們受益于一些全球最大的半導(dǎo)體公司在一個銷售數(shù)百億芯片的市場上進行了數(shù)十年的技術(shù)投資。每年每項技術(shù)的產(chǎn)品價值，。已經(jīng)花費了大量資金來優(yōu)化DRAM和NAND，達到今天的水平。即使一項新技術(shù)每年進步20%，要趕上DRAM和NAND仍有很長的路要走。
 
在一兩件事上做得更好可能會有所幫助，但總的來說，閃存和DRAM的成熟度以及它們不斷發(fā)展的事實可能會使專用MRAM芯片超出經(jīng)濟范圍。
 
在某些指標(biāo)上，新奇的記憶要擊敗既定的記憶還不夠好。它幾乎必須在帶寬、延遲、容量、成本、功率和耐用性等所有關(guān)鍵指標(biāo)上擊敗DRAM或NAND。就像今天的技術(shù)一樣，專用芯片似乎遙不可及，因為在成本方面它永遠無法與DRAM競爭。

關(guān)鍵詞：?DRAM 

宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。