賽普拉斯半導(dǎo)體提供全面的串行和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，可在斷電時(shí)立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器(PLC)，或以低功耗設(shè)計(jì)的植入人體生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯的FRAM提供即時(shí)非易失性和幾乎無(wú)限的耐用性，而不會(huì)影響速度或能源效率。
 
FRAM技術(shù)和優(yōu)勢(shì)
Cypress FRAM基于鐵電技術(shù)構(gòu)建。FRAM芯片包含一層鋯鈦酸鉛鐵電薄膜，通常稱為PZT。PZT中的原子在電場(chǎng)中改變極性，從而產(chǎn)生高能效的二進(jìn)制開(kāi)關(guān)。然而PZT最重要的方面是它不受電源中斷的影響，使FRAM成為可靠的非易失性存儲(chǔ)器。FRAM的基本工作原理及其獨(dú)特的存儲(chǔ)單元架構(gòu)賦予了該技術(shù)與EEPROM或閃存等競(jìng)爭(zhēng)性存儲(chǔ)技術(shù)不同的特定優(yōu)勢(shì)。
 
無(wú)延遲寫(xiě)入
•以總線速度將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元,無(wú)需浸泡時(shí)間
高耐力
•具有超過(guò)100萬(wàn)億(10¹⁴)個(gè)寫(xiě)入周期的浮柵存儲(chǔ)器壽命更長(zhǎng)
高效節(jié)能
•消耗的能量比EEPROM少200倍，比NOR閃存少3,000倍
耐輻射
•不受輻射弓|起的軟錯(cuò)誤的影響，這些錯(cuò)誤會(huì)在內(nèi)存中產(chǎn)生位翻轉(zhuǎn)
 
FRAM的好處
源自浮柵技術(shù)的傳統(tǒng)可寫(xiě)非易失性存儲(chǔ)器使用電荷泵來(lái)開(kāi)發(fā)片上高壓（10V或更高），以迫使載流子通過(guò)柵氧化層。因此寫(xiě)入延遲長(zhǎng)，寫(xiě)入功率高，寫(xiě)入操作實(shí)際上對(duì)存儲(chǔ)單元具有破壞性。浮柵器件無(wú)法支持超過(guò)106次訪問(wèn)的寫(xiě)入。從這個(gè)角度來(lái)看，使用EEPROM以1個(gè)樣本/秒記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄器將在12天內(nèi)磨損。相比之下，3VFRAM產(chǎn)品提供幾乎無(wú)限的耐用性（10¹⁴次訪問(wèn)）。
 
FRAM在寫(xiě)入速度和功率方面都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于浮柵器件。對(duì)于時(shí)鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM，寫(xiě)入256位（32字節(jié)頁(yè)面緩沖區(qū)）需要5毫秒，寫(xiě)入整個(gè)64Kb需要1283.6毫秒。對(duì)于等效的FRAM，256位僅需14µs，寫(xiě)入整個(gè)64Kb僅需3.25ms。此外，將64Kb寫(xiě)入EEPROM需要3900µJ，而將64Kb寫(xiě)入F-RAM需要17µJ，相差超過(guò)229倍。
 
總之：
•讀訪問(wèn)時(shí)間=寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間<100ns
•讀能量=寫(xiě)能量
•高寫(xiě)入耐久性10¹⁴
 
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是真正的非易失性RAM，因?yàn)樗Y(jié)合了RAM和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
 
 
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