MB85RS1MT是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為131,072字×8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。采用串行外圍設(shè)備接口（SPI）。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。
 
MB85RS1MT中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E²PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比有顯著改進。不需要很長的時間就可以寫入閃存或E²PROM等數(shù)據(jù)，MB85RS1MT不需要等待時間。代理商宇芯電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
■特點
•位配置：131,072字×8位
•串行外圍設(shè)備接口：SPI（串行外圍設(shè)備接口）對應(yīng)于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作頻率：1.8V到2.7V，最大25MHz2.7V到3.6V，最大30MHz（對于FSTRD命令）2.7V到3.6V，最大40MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超過200年（+35°C）
•工作電源電壓：1.8V至3.6V
•低功耗：工作電源電流9.5mA（最大值@30MHz）
待機電流120μA（最大值）
休眠電流10μA（最大值）
•工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至+85℃
•封裝
8針塑料SOP（FPT-8P-M02）
8針塑料WLP（WLP-8P-M01）
8針塑料DIP（DIP-8P-M03）
符合RoHS
 
關(guān)于富士通
富士通半導體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器，F(xiàn)RAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標簽等醫(yī)療領(lǐng)域。近年來應(yīng)用于可穿戴設(shè)備和工業(yè)機器人以及無人機中。富士通FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢，被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。日本富士通半導體代表了當今世界最先進的FRAM技術(shù)。FRAM在半導體市場上已經(jīng)得到了商業(yè)驗證，F(xiàn)RAM存儲器產(chǎn)品已成功應(yīng)用在汽車中。


關(guān)鍵詞：FRAM  富士通 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。